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本发明公开了一种红外探测器及其制作方法。所述红外探测器包括：衬底以及依序层叠于所述衬底上的N型晶格渐变层、N型接触层、吸收层和P型接触层；所述N型晶格渐变层从所述衬底至所述N型接触层的方向顺序包括第一层N型晶格层至第M层N型晶格层，M大于等...
该专利属于苏州晶歌半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶歌半导体有限公司授权不得商用。

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