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本发明提供一种用于形成背照式图像传感器的晶圆结构及工艺方法，通过在器件晶圆的衬底层与器件层之间设置多个外延层，所述衬底层与多个外延层具有掺杂浓度差异，以使得从背面减薄所述器件晶圆时，可以通过控制刻蚀选择比，实现至少两次的刻蚀自停止，从而降低...
该专利属于格科微电子（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科微电子（上海）有限公司授权不得商用。

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