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本发明涉及具有多厚度电荷薄层的雪崩光检测器,提供用于雪崩光检测器的结构以及形成用于雪崩光检测器的结构的方法。该结构包括具有第一部分及第二部分的第一半导体层,以及与该第一半导体层沿垂直方向堆叠的第二半导体层。该第一半导体层的该第一部分定义该雪...该专利属于格芯(美国)集成电路科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过格芯(美国)集成电路科技有限公司授权不得商用。
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本发明涉及具有多厚度电荷薄层的雪崩光检测器,提供用于雪崩光检测器的结构以及形成用于雪崩光检测器的结构的方法。该结构包括具有第一部分及第二部分的第一半导体层,以及与该第一半导体层沿垂直方向堆叠的第二半导体层。该第一半导体层的该第一部分定义该雪...