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本发明公开了一种在半导体表面形成具有复杂几何断面沟槽结构的方法，属于半导体制备工艺的技术领域，该方法包括：S1：在待刻蚀半导体材料的表面上形成至少两层掩膜材料；S2：沿待刻蚀断面沟槽的中心垂线方向上，在各层掩膜材料上通过光刻分别形成不同的窗...
该专利属于芯众享（成都）微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯众享（成都）微电子有限公司授权不得商用。

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