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本发明创造属于半导体制造的技术领域，具体涉及了一种碳化硅沟槽栅MOSFET器件及其制作方法。一种碳化硅沟槽栅MOSFET器件，包括：N型衬底和位于所述衬底上的N
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该专利属于株洲中车时代半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲中车时代半导体有限公司授权不得商用。

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