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本发明涉及一种倒置3μm～4.2μm nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法，属于光电子材料与器件技术领域。所述材料的结构从上向下依次为顶电极接触层、吸收层、势垒层、底电极接触层、缓冲层和衬底；采用分子术外延法制备得到。所述材料采用...
该专利属于昆明物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过昆明物理研究所授权不得商用。

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