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一实施例中提供一种在基材上沉积硅或硅锗薄膜的方法，其包含将该基材置于一处理室中，并加热该基材表面使其温度介于约６００℃至９００℃之间，同时保持该处理室中的压力介于约１３巴（０．１托耳）至２７仟巴（２００托耳）之间。将一沉积气体提供至该处理室...
该专利属于应用材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料股份有限公司授权不得商用。

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