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本发明公开了一种具有宽频光电响应的探测器件及其制备方法，将机械剥离的具有高迁移率的铊镍硒纳米片为基本结构单元转移到本征高阻硅和二氧化硅衬底上，然后利用紫外光刻技术和电子束蒸发技术制作源、漏电极，通过超声引线键合等工艺制备出高灵敏超宽带探测的...
该专利属于国科大杭州高等研究院所有，仅供学习研究参考，未经过国科大杭州高等研究院授权不得商用。

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