温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种围栅场效应晶体管的压力传感器及其制备方法。本发明采用硅薄膜制备的场效应晶体管进行压力传感，当压力施加于背面硅膜时，膜片发生变形，并引起沟道内载流子迁移率的变化，而漏极电流和开启电压也将发生变化，从而得到电学特性与压力的曲线，...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。