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本发明公开了一种用于制备超低N、B含量高纯碳化硅粉料的方法，采用高纯碳毡代替固相合成中的碳粉，提供反应所需的碳源，高纯硅粉提供反应需要的硅源，多孔的碳毡与硅粉相间铺设，高温下高纯硅粉挥发、渗透进高纯碳毡内部，与高纯碳毡反应生成碳化硅；同时，...
该专利属于安徽微芯长江半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽微芯长江半导体材料有限公司授权不得商用。

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