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本发明提供了一种RRAM的后端金属互连结构及其制备方法，其中的结构包括第一介电层以及设置在所述第一介电层上的第二介电层；其中，在所述第一介电层内设置有第一金属件，在所述第二介电层内设置有第二金属件；在所述第一介电层与所述第二介电层的交接面上...
该专利属于昕原半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昕原半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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