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本申请提供一种半导体器件的制造方法以及半导体器件，方法包括提供带有p型掺杂区域的半导体外延结构；在半导体外延结构上形成掩膜层和隔离层；对隔离层和掩膜层进行光罩刻蚀，以形成开口，露出p型掺杂区域；在残留的隔离层和露出的p型掺杂区域上，形成欧姆...
该专利属于湖南三安半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南三安半导体有限责任公司授权不得商用。

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