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本发明涉及一种基于GaN HEMT的半桥电路及控制方法，利用电源管理芯片输出PWM信号，控制2个GaN HEMT开关的通断时间以及缓冲电容时序，作为双向半桥电路的高侧开关和低侧开关，从而无需并联寄生二极管，可以解决传统半桥电路中因为MOS管...
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