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本发明涉及一种适用于FDSOI工艺的双电源冗余锁存瞬时剂量率辐射加固触发器结构,属于抗辐射集成电路设计技术领域。通过增加冗余锁存结构，抑制由瞬时剂量率辐射导致的电源塌陷所引起的触发器输出数据翻转和扰动。冗余锁存结构采用与触发器主体结构不同的...
该专利属于北京微电子技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京微电子技术研究所授权不得商用。

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