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本发明公开了一种微硅球形腔的加工方法，该方法包括：在硅片待图形化的一面依次进行沉积刻蚀掩膜、光刻、去除部分刻蚀掩膜、去胶和深反应离子刻蚀的处理；经湿法刻蚀得到微硅球形腔；并对实时采集的图像预处理后依次输入刻蚀圆检测模块以及预先建立和训练好的...
该专利属于中国科学院声学研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院声学研究所授权不得商用。

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