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本申请实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述方法包括：在衬底内形成填充有第一介质层且沿第一方向延伸的多条第一沟槽；在所述衬底和所述第一介质层内形成沿第二方向延伸的多条第二沟槽，所述第二沟槽和所述第一沟槽相互交叉，并在所述衬底内限定出多...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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