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SiC沟槽MOSFET器件制造技术
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文档序号:37574637
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本实用新型公开了一种SiC沟槽MOSFET器件,包括衬底层,所述衬底层的上侧有外延形成的N
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该专利属于北京国联万众半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京国联万众半导体科技有限公司授权不得商用。
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