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本发明提供一种闪存存储器及其制造方法,由于在控制栅层和第二氧化层形成第一开口的侧壁上形成第一隔绝层,并使第一隔绝层覆盖尖角,且在位于第二氧化层下方的氮化层和第一氧化层的侧壁,以及第一隔绝层的侧壁上形成第二隔绝层。如此则能够避免形成的第二隔绝...该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种闪存存储器及其制造方法,由于在控制栅层和第二氧化层形成第一开口的侧壁上形成第一隔绝层,并使第一隔绝层覆盖尖角,且在位于第二氧化层下方的氮化层和第一氧化层的侧壁,以及第一隔绝层的侧壁上形成第二隔绝层。如此则能够避免形成的第二隔绝...