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本发明公开了一种砷化镓多晶无液封合成方法和装置，该方法在无液封砷化镓多晶合成基础上，又经过了垂直布里奇曼法定向结晶，合成的圆柱形ＧａＡｓ多晶不存在镓团和砷团，且分布及不均匀，可以直接满足垂直布里奇曼法或者垂直梯度冷凝法ＧａＡｓ单晶生长的需求...该专利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所;天津晶明电子材料有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十六研究所;天津晶明电子材料有限责任公司授权不得商用。