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本发明涉及改进的半导体结构及其制作方法，使得在相同的绝缘层内，嵌在相同的绝缘层级内的Ｃｕ互连具有与嵌在相同的绝缘层级内的其它Ｃｕ互连不同的Ｃｕ粒度。...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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