温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种提高刻蚀均匀性的静电吸盘，包含：基座；设置在所述基座上的第一介电层，用于承载晶圆；设置在第一介电层与基座之间的第二介电层，所述第二介电层不同区域的介电常数不相同；通过第二介电层实现按区域调节静电吸盘的等效电容，使等离子体能量沿...
该专利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。