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本发明公开的基于VO2相变材料的温控频率可调MEMS带阻滤波器，从下到上依次包括：SiO2基板、包含四个独立电极模块的底部电极、包含四个平板的Si3N4双端固支平板、包含四个独立电极模块的顶部电极、Si3N4绝缘层、加热电阻、VO2层；顶部...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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