温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种谐振器以及谐振器的制备方法。谐振器，包括衬底以及设置在衬底上的谐振结构，谐振结构包括依次设置在衬底上的下电极、压电层以及上电极；谐振结构与衬底之间设有底部声反射结构，底部声反射结构、下电极、压电层...
该专利属于武汉敏声新技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉敏声新技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。