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本发明公开了一种区熔硅单晶的分段式转肩方法，包括步骤：(1)设定分段式转肩直径位置，设定值比目标直径小5mm；(2)设定单晶加热功率曲线参数及生长角度；在单晶直径到达转肩直径前，单晶加热功率按照单晶直径的增长而增加；在单晶直径超过转肩直径后...
该专利属于有研半导体硅材料股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过有研半导体硅材料股份公司授权不得商用。

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