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本发明公开了一种自对准栅接触鳍式晶体管，栅极结构的功函数金属层和金属导电材料层被回刻并在顶部形成有第一顶部沟槽，第一顶部沟槽中填充有第一盖帽层；同一列上的各鳍式晶体管的栅极结构的金属导电材料层连接在一起并形成栅极金属条形，在和栅极金属条形相...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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