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本发明公开了一种含稀土栅介质层的平面型SiC MOSFET及其制造方法。其中，所述结构包括：金属层、衬底；设置于衬底上部的缓冲区，包括若干缓冲层；设置于缓冲区上部的外延层；设置于外延层上部两侧的P阱区，P阱区中间处形成JFET区；所述P阱区...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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