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本发明属于团簇物理学技术领域，公开了一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源，包括设置有团簇生长腔室的中心源体，团簇生长腔室连通有激光溅射通路、样品通路、载气通路、喷嘴接口；低温制冷机和中心源体外部分别安装冷头真空热屏蔽罩和源真空热屏蔽罩...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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