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本发明公开了一种氮化镓集成功率芯片的制造方法和氮化镓集成功率芯片。制造方法包括：在蓝宝石基底上形成共源共栅级联结构以获得氮化镓集成功率芯片，共源共栅级联结构包括氮化镓晶体管和硅晶体管，氮化镓晶体管的源极与硅晶体管的漏极连接，氮化镓晶体管的栅...
该专利属于深圳智芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳智芯微电子科技有限公司授权不得商用。

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