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本发明公开了一种PMOS的金属栅的制造方法，包括：步骤一、形成P型功函数金属层；步骤二、采用PVD工艺沉积N型功函数金属层，在栅极沟槽的底部表面之上N型功函数金属层具有山丘状形貌；步骤三、采用保形生长工艺形成第一顶部阻挡子层，第一顶部阻挡子...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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