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本发明涉及一种集成式栅电极结构的HEMT器件及其制备方法，属于微电子技术领域。该方法在栅介质层上通过设计版图结构以及电子束蒸发角度，采用单步电极制备工艺便实现了双金属栅和栅电极为一体的集成式栅电极结构，并完成HEMT器件的制备；具体包括：定...
该专利属于重庆邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆邮电大学授权不得商用。

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