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本发明公开了一种磁屏蔽房屏蔽层整体磁导率测试方法，涉及磁性材料磁性能测量技术领域，包括在长方体屏蔽房上与x向垂直的壁面上的两个棱边上分别设置多个第一穿线孔和多个第二穿线孔，再先后在通过第一穿线孔和第二穿线孔绕设多个串联后的初级线圈和次级线圈...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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