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本发明公开了一种新型硅纳米线掺杂方法，首先在玻璃衬底上通过金属催化ＣＶＤ法生长硅纳米线，然后采用离子注入的方法注入Ｆｅ离子或其它的稀磁元素，之后对掺入稀磁杂质的硅纳米线通过退火处理进行磁性激活。能够通过稀磁杂质在电场作用下的电子自旋分裂特性...
该专利属于北方工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北方工业大学授权不得商用。

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