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本发明提供一种大马士革结构的制备方法，包括：提供一表面镶嵌有金属结构的半导体结构，在所述半导体结构上依次形成层间阻挡层、层间绝缘介质层、牺牲层和硬掩膜层；形成多个沟槽；形成多个接触孔；形成光刻胶层；去除所述硬掩膜层上表面的所述光刻胶层和所述...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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