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本发明公开了一种含沟槽电极的抗单粒子效应FinFET器件及其制备方法，所述器件包括衬底层、鳍部、浅沟槽隔离区、栅氧化层、沟槽金属电极和栅极，其中，浅沟槽隔离区设置在衬底层上表面，鳍部设置在浅沟槽隔离区上方中心区域且向下延伸至衬底层上表面，鳍...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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