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本发明提供了一种FINFET器件的制造方法，包括：提供一衬底；于衬底上形成多个沿第一方向延伸且间隔设置的鳍片；形成多个虚拟栅极，多个虚拟栅极沿第二方向延伸且跨越多个鳍片，第二方向与第一方向正交；于鳍片上形成有源区，有源区位于虚拟栅极的两侧；...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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