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本发明提供了一种MIM电容器及其制造方法，应用于半导体技术领域。具体的，其是先形成作为MIM电容器的上下极板的金属层，然后，再在该金属层中利用一步刻蚀工艺形成在X
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该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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