专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
西安电子科技大学
>
用于抗单粒子烧毁的P-GaN增强型氮化镓高电子迁移率晶体管制造技术
>技术资料下载
下载用于抗单粒子烧毁的P-GaN增强型氮化镓高电子迁移率晶体管的技术资料
文档序号:37468034
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种用于抗单粒子烧毁的P
...
该专利属于西安电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安电子科技大学授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。