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本发明提供一种基于氮化镓的高电子迁移率晶体管器件及其制备方法，上述的基于氮化镓的高电子迁移率晶体管器件包括：外延衬底、源极、漏极及栅极；外延衬底包括衬底层、m
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该专利属于湖北九峰山实验室所有，仅供学习研究参考，未经过湖北九峰山实验室授权不得商用。

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