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本发明提供一种湿法刻蚀的方法，提供衬底，衬底上形成有半导体结构；利用第一溶液清洗衬底上的半导体结构；利用第二溶液冲洗衬底上的半导体结构，第二溶液的表面张力小于第一溶液的表面张力；利用第三溶液刻蚀半导体结构，刻蚀完成后利用第一溶液清洗刻蚀后的...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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