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本发明提供一种磁隧道结单元、磁存储单元以及存储器，涉及磁性电子器件技术领域。本发明的磁隧道结单元，包括依次堆叠的自旋轨道转矩层、翻转场提供层、插入层、自由层、隧穿层势垒层和参考层。其中，翻转场提供层为磁性膜，通过改变磁性膜材料改变翻转场提供...
该专利属于致真存储（北京）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过致真存储（北京）科技有限公司授权不得商用。

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