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本发明涉及半导体领域，特别涉及一种氮化镓晶圆的切割方法及氮化镓功率器件的封装方法。先对氮化镓晶圆正面开槽，使得切割道中的氮化镓层被移除，再对氮化镓晶圆进行半切割，后对氮化镓晶圆正面使用粘性更强的保护膜后再进行背面减薄。本发明使得氮化镓晶圆的...
该专利属于杭州云镓半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州云镓半导体科技有限公司授权不得商用。

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