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本发明涉及集成电路设计及制造技术领域，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法、存储器及电子设备，方法包括：提供目标衬底，目标衬底内形成有沿第一方向、第二方向间隔排布的多个有源柱，多个有源柱均沿第三方向延伸；沿第一方向、第二方向相邻的有源柱之间...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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