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本发明涉及一种碳化硅MOSFET栅氧化层的制备方法，属于半导体器件制造技术领域，该方法包括：对一晶圆片进行前道工序处理获取SiC衬底；对所述SiC衬底的表面进行预处理；对经过预处理的SiC衬底表面进行钝化掺杂处理；根据需要生长的栅氧化层厚度...
该专利属于江苏昕感科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏昕感科技有限责任公司授权不得商用。

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