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本发明公开了一种高频铁电负电容场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大集成电路的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明提供的高频负电容场效应晶体管，通过将具有快速铁电负电容效应的针状铁弹畴结构铁电薄膜作为栅介质层，结合特定的器件结构和工艺...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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