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本申请提供一种碳化硅半导体器件及其制备方法，包括衬底、设置于衬底上的外延层，和若干元胞单元，该元胞单元由设置在外延层中的两个相互连接的第一元胞和第二元胞组成，且第一元胞的第一结型场效应区与第二元胞中的第二肖特基电场区相连，每个元胞单元通过在...
该专利属于湖南三安半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南三安半导体有限责任公司授权不得商用。

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