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本发明提供一种低温CVD生长二维半导体材料的方法，采用直接在热受限目标衬底上低温生长二维半导体材料的方式，通过在钼源中混合低熔点稀散金属，使前驱体通过稀散金属共熔体的形式在较低的温度下蒸发，达到降低前驱体蒸发温度的目的，避免高温导致的介电层...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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