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本发明抑制了半导体设备的特性的波动和劣化。半导体设备包括安装在半导体基体上的场效应晶体管。此外，场效应晶体管包括绝缘层，该绝缘层包括设置在半导体基体的主表面上的第一绝缘膜，以及设置在第一绝缘膜上并具有比第一绝缘膜的蚀刻选择比更高的蚀刻选择比...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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