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本发明公开了一种氮化物声表面波器件与场效应晶体管的单片集成电路，主要解决氮化物声表面波器件与场效应晶体管难外延集成的问题。其自下而上包括衬底、成核层、沟道层、插入层、势垒层、压电铁电层。势垒层为钪铟铝镓氮材料，压电铁电层为连续外延单晶钪铝氮...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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