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本发明描述了一种制作硅通孔结构的方法，利用脉冲激光能量，该硅通孔结构可以用来在两个堆叠半导体元件之间形成一个互连。具体地，在每个半导体元件上形成至少一个硅通孔，而每个硅通孔都填充满一个由第一种金属形成的金属栓。然后，一个半导体元件被叠加在另...
该专利属于香港应用科技研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过香港应用科技研究院有限公司授权不得商用。

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