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本申请公开了一种反铁磁隧道结及其制备方法，首先在单晶硅晶圆上沉积绝缘氧化物层，然后在绝缘氧化物层上沉积共线反铁磁钉扎层，随后在共线反铁磁钉扎层上依次沉积非共线反铁磁参考层、隧穿层和非共线反铁磁自由层，结合光刻工艺，最终在硅晶圆上实现具有绝缘...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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